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采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ，在20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时 ，发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的 绿光LED。