【摘 要】
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开发了一种成象技术,用于形成集成电路受到离子照射发生单粒子翻转区域的图象,已经达到了微米量级分辨率。从得到的图象中,能直接确定集成电路中易发生翻转的部位及大小。借
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开发了一种成象技术,用于形成集成电路受到离子照射发生单粒子翻转区域的图象,已经达到了微米量级分辨率。从得到的图象中,能直接确定集成电路中易发生翻转的部位及大小。借助一种扫描式核微探针,还可以有选择性地照射集成电路中的最小功能单元(如晶体管的漏极、栅极),同时测量高能离子冲击对电路性能的影响。另外,关于集成电路抗辐射能力的信息(如总剂量响应和导致翻转的 LET 阈值),以前是在电路级测得的,现在也可以在单个晶体管级测得了。本文将以详尽的篇幅介绍这种准确的新诊断枝术,用它可研究集成电路中的单粒子翻转过程。
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