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闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一，而且随着器件特征尺寸越来越小，使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础，采用可控硅等效电路模型，较为详细地分析了闩锁效应的形成机理，并利用试验证实，通过加深P阱深度，可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。