跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术填补国内空白

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华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白,开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,达到国际领先水平。目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,累计产出已达24万片,大幅提升了企业营收能力,两年 China Resources Microelectronics Co., Ltd.’s China Resources Technology Co., Ltd. (“China Resources Shanghua”) independently developed “Runner-shaped NLDMOS transistor and its production method ” patented technology, recently won the seventh in Wuxi in 2014 patent Gold Award. The patent to fill the gaps in the country, creating the first can be applied to the monolithic intelligent switching power supply IC technology to reach the international advanced level. At present, the patent has been applied to China Resources wafer fab wafer production line, the cumulative output has reached 240,000, a substantial increase in business revenue, two years
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