SOI晶圆制造技术及发展趋

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绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insulator)作为CMOS的改进技术,于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗锁定、减化制造工艺,以及减小器件尺寸。SOI材料最初是用于小规模的利基(niche)市场,主要是军用。而今,已明显扩展了在主流方面的应用。最近几年,S Silicon-on-insulator (SOI), introduced as an improved CMOS technology in 1978, can increase device speed, reduce power consumption, reduce soft errors, lock-in, reduce manufacturing processes, and Reduce the size of the device. SOI materials were initially used in small-scale niche markets, mostly military. Nowadays, the application in the mainstream has been significantly expanded. In recent years, S.
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