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采用在密闭塑料瓶中硝酸、氢氟酸常温常压分解样品，系统分析了样品中痕量杂质元素V、Ti、Mo、Fe、Sb、Pb、As、Co、Mg、Ca、Mn、Al、Sn、Na、K、Ni、Cr、Cd、Si、Cu、P、Bi的光谱干扰情况及钨酸沉淀分离基体后各元素的回收率情况，最终确立了电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）法测定钨产品中痕量元素的方法。V、Ti由于基本不受基体干扰，钨酸沉淀分离基体后回收率较低，采用在校准曲线中补加基体的方法对其进行测定，其中V的测定下限为5．2μg／g，Ti的测定下限1．3μg／g；C