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掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术.通过优化工艺,制作出具有'纳米硅镶嵌结构'的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形.研制出的SCALPEL掩模,其晶片尺寸为80mm,图形线宽达到0.1μm,经缩小投影曝光得到78nm的图形分辨力.