【摘 要】
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目的 通过对大剂量照射后的热释光探测器(LiF:Mg,Cu,P)进行研究,探讨热释光探测器性能是否发生改变.方法 采用热释光退火炉对大剂量辐照后的热释光探测器进行退火,直至完全退
【机 构】
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中国医学科学院 北京协和医学院放射医学研究所,天津市放射医学与分子核医学重点实验室,天津 300192中国医学科学院 北京协和医学院放射医学研究所,天津市放射医学与分子核医学重点实验室,天津 3001
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目的 通过对大剂量照射后的热释光探测器(LiF:Mg,Cu,P)进行研究,探讨热释光探测器性能是否发生改变.方法 采用热释光退火炉对大剂量辐照后的热释光探测器进行退火,直至完全退火,然后用137Cs辐照仪照射固定剂量(0.5 Gy),验证热释光探测器的准确性.结果 大剂量照射后的热释光探测器在常规240℃条件下不能完全退火,在400℃高温条件下可以完全退火;退火后的热释光探测器经137Cs辐照仪辐照0.5 Gy后测量结果明显偏小,探测器的剂量响应和分散性也发生了明显改变.结论 经过大于5 Gy电子辐照场照射后,热释光探测器的晶体结构发生了改变,出现了240℃以上高温峰,导致常规温度下不能完全退火.因此,大剂量照射后的热释光探测器不能再用于剂量测定.
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