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本文通过总能赝势方法理论研究了八面体晶体材料Li4CaB2O6的晶体和电子结构以及Mulliken布居数；本文使用的总能赝势方法包括局域密度近似和广义梯度近似两种密度泛涵理论．所得的结果与实验提供的数据吻合较好．通过分析电子能带结构，可以推断多晶材料Li4CaB2O6适用于半导体光学材料．
硼酸盐晶体Li4CaB2O6的从头计算研究
【摘 要】
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本文通过总能赝势方法理论研究了八面体晶体材料Li4CaB2O6的晶体和电子结构以及Mulliken布居数；本文使用的总能赝势方法包括局域密度近似和广义梯度近似两种密度泛涵理论．所得
【机 构】
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中国电子科技集团公司第43研究所,四川大学原子与分子物理研究所,四川大学物理科学与技术学院
【出 处】
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四川大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2008年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金（10676025）
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