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氧化锌（ZnO）具有适合基于pn结的各种光电器件，例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质。虽然多年来已可获得高质量的n型ZnO，但是由于本征缺陷的自补偿效应较强等原因，稳定低阻且为P型导电的ZnO薄膜一直难于制备。通过对部分有关文献的归纳分析，主要介绍了近年来在P型掺杂方面的进展，以及不同方法制备的P型ZnO薄膜的空穴浓度、迁移率及电阻率等性能参数。