【摘 要】
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在3T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1,2,3μm的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:50671060)资助的课题~~
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在3T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1,2,3μm的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X射线衍射研究.研究表明,3T磁场下制备的Zn薄膜都是沿(002)面取向,而0T磁场下制备的薄膜随着厚度的增加c轴取向逐渐减弱.3T磁场的取向作用可以维持Zn晶粒沿着c轴取向.利用扫描电子显微镜对薄膜表面形貌的研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径rM*和临界形核自由能ΔGM*.初步分析表明,rM*和ΔGM*减小从而增加临界形核浓度是Zn晶粒细化的原因.
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