【摘 要】
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高导热氮化硅陶瓷是大功率电力电子器件散热的关键候选材料。研究采用稀土氧化物（Re2O3）和氧化钛（Ti O2）烧结助剂体系,通过低温常压烧结方法来制备氮化硅陶瓷,以有效降低成本,满
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所、高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海大学材料科学与工程学院
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高导热氮化硅陶瓷是大功率电力电子器件散热的关键候选材料。研究采用稀土氧化物（Re2O3）和氧化钛（Ti O2）烧结助剂体系,通过低温常压烧结方法来制备氮化硅陶瓷,以有效降低成本,满足实际应用的需求。系统研究了烧结助剂种类及含量对Si3N4陶瓷的致密化行为、热导率、显微结构以及力学性能的影响。研究发现随着稀土离子半径的增大,材料的致密度和热导率均呈现下降趋势,添加Sm2O3后样品最高密度仅为3.14 g/cm3。但是当Sm2O3-Ti O2烧结助剂含量为8wt%时,样品断裂韧性可达5.76 MPa?m1/2。当添加Lu2O3且烧结助剂含量为12wt%时,材料的密度可达3.28 g/cm3,但是大量存在的第二相导致热导率仅为42.3 W/（m·K）。研究发现该材料具有良好的断裂韧性。经1600℃退火8 h后,Er2O3-Ti O2烧结助剂样品的热导率达到51.8 W/（m·K）,基本满足一些功率电路基板材料的实际应用需求。
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