α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究

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本文用DV-SCC-X_a方法计算了α-Al_2O_3晶体及Si界面的电子结构,给出了对真实界面的模拟计算方法,讨论了界面模型和计算结果,得出了与实验相符的Al_2O_3-Si界面的定量结果,如电导率、能隙、态密度等. In this paper, the electronic structure of α-Al_2O_3 crystal and Si interface was calculated by DV-SCC-X_a method. The simulation calculation method for the real interface was given. The interface model and the calculation results were discussed. The experimental results agree well with those of Al_2O_3-Si Interface quantitative results, such as conductivity, energy gap, density and other states.
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