【摘 要】
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采用0．18um GaAs PHEMT工艺，设计和研制了毫米波压控振荡器．该压控振荡器采用反射式结构，并针对了我国本地多点分配业务（LMDS）频段进行了优化设计，芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现，芯片
【基金项目】
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国家自然科学基金重点（No.90307016）资助项目.衷心感谢东南大学章丽、李维老师以及李芹博士在MPW项目上所提供的帮助.
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采用0．18um GaAs PHEMT工艺，设计和研制了毫米波压控振荡器．该压控振荡器采用反射式结构，并针对了我国本地多点分配业务（LMDS）频段进行了优化设计，芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现，芯片的尺寸为1．2mm×0．8mm．实测性能指标为：在28．46GHz，该压控振荡器的输出功率为7．3dBm，偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc／Hz，调谐范围为27．5～30．4GHz．
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