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用光致发光激发光(PLE)谱与光吸收谱和光致发光(PL)谱相结合,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析.PLE谱表明带边激子发光的主要来源是1S3/2-1se和2S3/2-1se能态的电子弛豫,而缺陷态发光的来源除了1S3/2-1se和2S3/2-1se能态的电子弛豫外,还有更高能态的电子弛豫.