重铬酸钾分子印迹电化学传感器制备及其应用

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通过沉淀聚合,以重铬酸钾为模板分子,在壳聚糖修饰的金电极表面制备重铬酸钾分子印迹脱。采用电化学循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)、荧光显微镜、扫描电镜研究了重铬酸钾分子印迹膜的性能和分子印迹效应.探讨了重铬酸钾的最优投加浓度,优化了洗脱时间,扫描底液的选择对传感器性能的影响.发现对重铬酸钾的检测有较好的选择性。实验表明,在最佳实验条件下,此传感器对重铬酸钾浓度在0∽31×10-3mg/L范围内有优良的线性关系,回归曲线为y=25.02x-0.0073,R2=0.9991,检出限达2.4
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