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研究了ＭｎＯ，ＳｉＯ２等添加剂对低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３ＧＢＢＬ电容器材料介电性能的影响。结果表明，随着ＭｎＯ含量的增加样品的有效介电常数增加，同时介电损耗也大幅增加。ＳｉＯ２的添加量大于０．２％（质量分数）时不利于半导化，并降低介电常数。加入适量的ＭｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２能使材料的有效介电常数有较大提高，损耗则增加不大。