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研究了MnO,SiO2等添加剂对低温一次烧结SrTiO3GBBL电容器材料介电性能的影响。结果表明,随着MnO含量的增加样品的有效介电常数增加,同时介电损耗也大幅增加。SiO2的添加量大于0.2%(质量分数)时不利于半导化,并降低介电常数。加入适量的MnO-Al2O3-SiO2能使材料的有效介电常数有较大提高,损耗则增加不大。