【摘 要】
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我国第一根蒸汽压控制直接法(ＶＣＺ)101ｍｍ(4英寸)砷化镓单晶近日在北京有色金属研究总院拉制成功,这标志着我国半导体材料研制技术又达到了一个新的水平。ＶＣＺ拉晶技术具有位错密度低、
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我国第一根蒸汽压控制直接法(ＶＣＺ)101ｍｍ(4英寸)砷化镓单晶近日在北京有色金属研究总院拉制成功,这标志着我国半导体材料研制技术又达到了一个新的水平。ＶＣＺ拉晶技术具有位错密度低、纯度高、缺陷少的优点,是当今世界化合物半导体材料的前沿课题,目前只有日本、德?..
China’s first direct method of vapor pressure control (VCZ) 101mm (4 inches) gallium arsenide single crystal recently completed in Beijing Nonferrous Metal Research Institute, which marks the development of China’s semiconductor materials technology has reached a new level. VCZ crystal pulling technology with the advantages of low dislocation density, high purity, fewer defects, is the frontier of the world’s compound semiconductor materials, currently only Japan, Germany?
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