【摘 要】
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总结了在φ５０ｍｍ ＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入，自对准亚微米难熔栅制备，钝化介质膜生长，干法刻蚀，电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套
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总结了在φ５０ｍｍ ＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入，自对准亚微米难熔栅制备，钝化介质膜生长，干法刻蚀，电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性，重复性好，在φ５０ｍｍ ＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓ ＩＣ和ＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ
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