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对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究，提出了在低阻P型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法，使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。实验证明，该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应，避免了外延过程中可能出现的反型。研制的电力埋栅型静电感应晶体管，I-V特性良好、栅源击穿电压达到70V，阻断电压达到600V。