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(3)非晶硅氧(a-SiO:H)合金[34,35]以H稀释硅烷添加CO2作混合气源,控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02/(C02+SiH4)(其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。/(SiH4+H2)表示),在等离子体放电作用下,C02、SiH4、H2之间将产生以下反应:SiH44+C02+H2→a-SiO:H,生成非(或微)晶硅氧合金薄膜。