【摘 要】
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提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51237001)
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提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器件的导电能力,从而降低器件的比导通电阻。数值仿真结果表明,该LDMOS的比导通电阻从传统结构的371mΩ·cm2降低到60.9mΩ·cm2。相比于没有场环的传统结构,该LDMOS的耐压从660V提高到765V。
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