【摘 要】
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基于混合集成电路工艺,采用氧化铍衬底厚膜电路、陶瓷电容和半导体芯片,设计了一种高压运算放大器.采用ORCAD进行仿真,结果表明,该运放的供电电压为±15～±150 V,输出电流为75
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060;重庆西南集成电路设计有限责任公司,重庆,401322
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基于混合集成电路工艺,采用氧化铍衬底厚膜电路、陶瓷电容和半导体芯片,设计了一种高压运算放大器.采用ORCAD进行仿真,结果表明,该运放的供电电压为±15～±150 V,输出电流为75 mA,直流电压增益为95 dB,转换速率为57 V/μs,静态电流6 mA,单位增益带宽3MHz.该运放可被广泛用于马达控制系统、压电传感器以及打印机驱动等领域,实现了高压运算放大器的国产化.
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