论文部分内容阅读
电子结构和四角形的阶段的光性质第四级的砷化物氧化物 YZnAsO 和 LaZnAsO 在概括坡度近似(GGA ) 以内用密度功能的理论(DFT ) 被学习。沿着在 Brillouin 地区，状态(DOS ) 的密度和状态(PDOS ) 的部分密度的更高的对称轴的乐队结构被介绍。计算精力乐队结构证明 YZnAsO 和 LaZnAsO 分别地是有 1.173 1 eV 和 1.166 5 eV 的乐队差距的间接差距半导体。DOS 和 PDOS 显示出 Y-O/La-O 原子轨道和 Zn 的杂交 -- 作为原子