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对Si(111)-(2×1)表面7个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能正电子衍射强度的分析的结果表明，该表面偏向于改进的π键链模型，但得到的可靠性因子不如其它化合物半导体表面结构分析时小,本文对其可能的原因进行了较详细的分析。
应用低能正电子衍射对Si（111）—（2×1）表面结构的分析
【摘 要】
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对Si(111)-(2×1)表面7个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能正电子衍射强度的分析的结果表明，该表面偏向于改进的π键链模型，但得到的可靠性因子不如其它化合物半导体表
【机 构】
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广州大学土木工程学院,广州大学理学院,中山大学物理系
【出 处】
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洛阳工学院学报
【发表日期】
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2001年2期
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