【摘 要】
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SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体，目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合，SiC MOSFET关断暂态带来的超调振荡影响了电源输出的稳定性和品质，并且降低了装置的可靠性。在分析SiC MOSFET开关特性及四种无源吸收电路优缺点的基础上，提出了一种针对SiC MOSFET关断暂态的RC吸收电路优化设计方案，给出了系统效率最优情况下的电路参数范围，提
【基金项目】
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陕西省教育厅服务地方专项项目（21JC034）；
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SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体，目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合，SiC MOSFET关断暂态带来的超调振荡影响了电源输出的稳定性和品质，并且降低了装置的可靠性。在分析SiC MOSFET开关特性及四种无源吸收电路优缺点的基础上，提出了一种针对SiC MOSFET关断暂态的RC吸收电路优化设计方案，给出了系统效率最优情况下的电路参数范围，提升了吸收电路研发的效率。最后，通过400V/20A双脉冲测试电路进行了实验验证。
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