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正电子湮没谱学技术是研究材料微观结构非常有效的一种核谱学分析方法，主要用于获取材料内部微观结构的分布信息，特别是微观缺陷结构及其特性等传统表征方法难以获取的微观结构信息．近年来，在慢正电子束流技术快速发展的基础上，正电子湮没谱学技术在薄膜材料表面和界面微观结构的研究中得到了广泛应用．特别是该技术对空位型缺陷的高灵敏表征能力，使其在金属／合金材料表面微观缺陷的形成机理、缺陷结构特性及其演化行为等研究方面具有独特的优势．针对材料内部微观缺陷的形成、演化机理以及缺陷特性的研究，如缺陷的微观结构、化学环境、电子密