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GaAs光电阴极的MOCVD法生长及其激活工艺研究
GaAs光电阴极的MOCVD法生长及其激活工艺研究
来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangcongyu003
【摘 要】
:
本文报道了用MOCVD法生长出了有效的GaAs光电阴极材料,并且在国产的GaAs光电阴极激活系统上进行激活实验,其反射式积分灵敏度高于1000μA/lm。
【作 者】
:
张书明
孙长印
朱李安
赛小峰
程昭
何益民
高鸿楷
侯洵
【机 构】
:
西安光学精密机械研究所半导?
【出 处】
:
光电子技术
【发表日期】
:
1996年1期
【关键词】
:
MOCVD
光电阴极
激活
砷化镓
MOCVD
GaAs photocathode
activation
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本文报道了用MOCVD法生长出了有效的GaAs光电阴极材料,并且在国产的GaAs光电阴极激活系统上进行激活实验,其反射式积分灵敏度高于1000μA/lm。
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