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本文旨在研究缺氧刺激条件下中缝背核内远位触液神经元Fos蛋白的表达情况.应用低压氧舱仿海拔8000米高空缺氧模型,采用侧脑室注射CB(霍乱毒素B亚单位)标记中缝背核内的远位触液神经元,并用Fos免疫组化和CB/Fos免疫组化双重染色方法显示Fos在中缝背核远位触液神经元内的表达情况.结果表明中缝背核内存在大量的CB标记神经元(31.16±3.36/每张切片).缺氧实验组中缝背核内Fos阳性神经元数显著增加(40.28±2.17/每张切片,P<0.05),并可见CB/Fos双标神经元(2