【摘 要】
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用密度泛函理论（DFT）在B3LYP/6-31G（d）计算水平上首次研究了N-杂环类硅烯[CH（R）N]_2SiLiF（R=H和t-Bu）的构型及异构化反应。计算得到了[CH（H）N]_2SiLiF的五个平衡构型和[CH（t-Bu）N]_2SiLiF
【机 构】
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扬州大学化学化工学院,山东大学化学与化工学院
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用密度泛函理论（DFT）在B3LYP/6-31G（d）计算水平上首次研究了N-杂环类硅烯[CH（R）N]_2SiLiF（R=H和t-Bu）的构型及异构化反应。计算得到了[CH（H）N]_2SiLiF的五个平衡构型和[CH（t-Bu）N]_2SiLiF的四个平衡构型。两种类硅烯的各构型中,包含四元环结构的p-络合物构型都是最稳定的,是实验上可能存在的构型。三元环构型、σ-络合物构型和＂经典＂四面体构型都是不稳定的。t-Bu基团增强了σ-络合物构型的稳定性,但减小了类硅烯的复合能,从而进一步证明了t-Bu取代
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