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会上的报告证实,研发的努力已经取得实效,SiGe HBT器件可以在10GHz的频段范围内取代通常使用的GaAs晶体管
随着RF集成技术的发展,锗将进军SOC ASIC
【摘 要】
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会上的报告证实,研发的努力已经取得实效,SiGe HBT器件可以在10GHz的频段范围内取代通常使用的GaAs晶体管
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2000年3期
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