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  5. Pd／SnO2／SiO2／Si集成薄膜的结构与气敏性能

Pd／SnO2／SiO2／Si集成薄膜的结构与气敏性能

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dreamrain1220
【摘 要】
：
采用磁控溅射技术制备Pd／SnO2／SiO2／Si集成薄膜．研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响，进而测试了相关的气敏性能．实验证明，经过氧化性退火处理，集成薄膜中的SiO2层厚度从3nm
【作 者】
：
王磊 杜军 毛昌辉 杨志民 熊玉华 
【机 构】
：
北京有色金属研究总院先进电子材料研究所
【出 处】
：
传感技术学报
【发表日期】
：
2006年05B期
【关键词】
：
SNO2 PD 薄膜 溅射 气体敏感 SnO2  Pd  thin film  sputtering  gas sensitivity 
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采用磁控溅射技术制备Pd／SnO2／SiO2／Si集成薄膜．研究退火处理对薄膜微观结构和表面形貌的影响，进而测试了相关的气敏性能．实验证明，经过氧化性退火处理，集成薄膜中的SiO2层厚度从3nm增长到50nm左右，形成Pd／SnO2／SiO2／Si结构，SnO2薄膜形成金红石结构的多孔柱状晶．气敏测试表明，Pd／SnO2／SiO2／Si集成薄膜在低温区对H2、CH4、CO和C2H5OH敏感性较高，另外，随着H2气体浓度的增加，相应灵敏度从35递增至73．5．
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