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富士公司最近研发的单沟道降压变换器用IC，装有耗电小、外部元件数少的高耐压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。由于高输入电压（～45V），能达到任意的输出功率，故可实现小型高效率（〉85％）的DC—DC变换器。这一IC的主要特点如下：1．由于高耐压CDMOS的加工工艺，
新型DC—DC变换器的控制IC—FA7733N
【摘 要】
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富士公司最近研发的单沟道降压变换器用IC，装有耗电小、外部元件数少的高耐压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。由于高输入电压（～45V），能达到任意的输出功率，故可实现小型
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2007年2期
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