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应用分子印迹技术，以吲哚乙酸为模板分子，吡咯为聚合单体，采用电聚合法在玻碳电极表面合成了性能稳定的吲哚乙酸分子印迹聚合物膜。利用方波伏安法分析吲哚乙酸在该印迹电极上的电化学行为，结果表明：O．55V（vs．SCE）处的峰电流与浓度为5．0×10-6-2．4×10-4mol／L的吲哚乙酸呈线性关系，检出限（S／N=3）为2．0×10-6mol／L，响应时间为90s；同一支印迹电极对吲哚乙酸响应值的RSD为1．7％（n=9）；该印迹电极对吲哚乙酸具有较好的选择性，相对误差小于5％