【摘 要】
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采用电化学C-V测试方法，测量分析了InP／InGaAs／InP外延结构的I-V特性，对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术，对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和X
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采用电化学C-V测试方法，测量分析了InP／InGaAs／InP外延结构的I-V特性，对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术，对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试，得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As／P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法，对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系，论证了I-V测试结果的有效性，指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。
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