（001）面双轴应变锗材料的能带调控

来源 :材料科学与工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yooeo

【摘要】

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本文基于形变势理论构建（001）面双轴应变Ge材料的能带结构模型。计算结果表明（001）面双轴应变可以将Ge的能带从以L能谷为导带底的间接带半导体调控到以Δ4能谷为导带底的间接带半

【作者】

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黄诗浩孙钦钦黄巍谢文明汪涵聪林抒毅

【机构】

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福建工程学院信息科学与工程学院,福建工程学院软件学院,厦门大学物理科学与技术学院

【出处】

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材料科学与工程学报

【发表日期】

：

2018年3期

【关键词】

：

应变退简并能带调控 strain degenerated Ge band gap engineering

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目（61604041）,福建省自然科学基金资助项目（2016J05147）,福建省教育厅2017年高校杰出青年科研人才培育计划项目,福建工程学院科研基金资助项目（GY-Z14073）

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本文基于形变势理论构建（001）面双轴应变Ge材料的能带结构模型。计算结果表明（001）面双轴应变可以将Ge的能带从以L能谷为导带底的间接带半导体调控到以Δ4能谷为导带底的间接带半导体或者以Г能谷为导带底的直接带半导体。同时室温下Ge的带隙与应变的关系可用四段函数来表示：当压应变将Ge材料调控为以Г能谷为导带底的间接带半导体后,每增加1%的压应变,禁带宽度将线性减小约78.63meV;当张应变将Ge材料调控为直接带半导体后,张应变每增加1%,禁带宽度将线性减小约177.98meV;应变介于-2.06%和1

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