【摘 要】
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使用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上沉积钇稳定的氧化锆（YSZ）薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.
【机 构】
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苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室,南京大学固体微结构物理国家重点实验室
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使用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上沉积钇稳定的氧化锆（YSZ）薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.结果表明：衬底温度较低的YSZ薄膜为非品组织,衬底温度为300—500℃时YSZ晶粒以表面能低的（111）面首先择优生长,衬底温度超过550℃后品粒活化能提高而使表面能较高的（100）晶粒择优生长.YSZ薄膜是典型的岛状三维生长模式,较高的衬底温度有利于原子在衬底表面迁移和重排结晶长大.同其它沉积技术相比,
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