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提出了在SF6／CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法，通过对各工艺参数（功率、压力、流量配比等）对WN刻蚀钻蚀量影响的研究，优化了工艺参数，获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0．1μm的wN各向异性刻蚀条件，使BKEBO成品率由85％提高到95％，从而提升了芯片生产成品率。
SF6和CHF3混合气体各向异性刻蚀WN研究
【摘 要】
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提出了在SF6／CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法，通过对各工艺参数（功率、压力、流量配比等）对WN刻蚀钻蚀量影响的研究，优化了工艺参数，获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0．1μm
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2014年2期
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