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通过电化学诱导的溶胶-凝胶过程,以四甲氧基硅烷（TMOS）作为硅源,在氧化铟锡（ITO）电极表面制备了二氧化硅（SiO2）薄膜.使用扫描电镜（SEM）、紫外可见光谱（UV）和循环伏安法（CV）分别对薄膜的表面形貌、光吸收特性和导电性能进行了表征.结果表明：所施加的电压显著地影响SiO2薄膜的在固体表面上的生长.SEM图显示出在薄膜表面上没有明显的介孔结构.薄膜的紫外可见光谱在波长为430 nm处出现了SiO2分子的本征吸收峰,表明这固体表面上的材料主要是由SiO2构成的.循环伏安曲线证明该薄膜材料具有很高