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3C-SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料.本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长3C-SiC及抑制其相变的研究进展.采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析,结果表明所制备的样品为3C-SiC单晶体.
3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析
【摘 要】
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3C-SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料.本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长3C-SiC及抑制其相变的研究进展.采用X射线衍射、透射
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安理工大学晶体生长设备研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2004年6期
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