【摘 要】
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采用局域自旋密度近似(LSDA)方法,在311++g(3df,3pd)基组水平上对不同外电场下SiSe分子的几何结构进行优化,并分析分子电偶极矩、总能量、HOMO能级、LUMO能级和能隙等随外场
【机 构】
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凯里学院理学院,凯里学院,贵州大学
【基金项目】
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凯里学院博士专项课题资助(BS201802)
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采用局域自旋密度近似(LSDA)方法,在311++g(3df,3pd)基组水平上对不同外电场下SiSe分子的几何结构进行优化,并分析分子电偶极矩、总能量、HOMO能级、LUMO能级和能隙等随外场的变化情况,然后采用杂化CIS方法计算外电场下SiSe分子的激发特性及电子光谱,结果表明:在外电场作用下,分子键长、总能量、偶极矩和紫外-可见光谱等受到明显影响;外电场由-0.04a.u.到0.04a.u.变化过程,键长和偶极矩先减小后增大,而总能量则先增大后减小,当电场F=0.01a.u.时总能量达到最大值,偶极
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