【摘 要】
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以MgSiN2作为生长助剂自蔓延高温合成β-Si3N4棒晶,并对其生长机理进行探讨。结果表明,添加少量MgSiN2可以制备出高长径比β-Si3N4棒晶,而过多的MgSiN2不利于β-Si3N4棒晶生
【基金项目】
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广西科学研究与技术开发计划应用基础专项基金资助项目(0731007);中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金资助项目(SKL200707SIC)
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以MgSiN2作为生长助剂自蔓延高温合成β-Si3N4棒晶,并对其生长机理进行探讨。结果表明,添加少量MgSiN2可以制备出高长径比β-Si3N4棒晶,而过多的MgSiN2不利于β-Si3N4棒晶生长。自蔓延燃烧过程中,MgSiN2与原料表面的氧化硅形成Mg-Si-O-N液相,促使β-Si3N4以气-液-固机理快速生长。
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