【摘 要】
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本文采用一种结构为Ag/MoO3/Ag的金属/氧化物/金属(M1/O/M2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO3/Ag叠层结构变化对于OLED器件电极透过率、亮度、光谱等性能的影响.实
【机 构】
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特种显示技术国家工程实验室特种显示技术教育部重点实验室省部共建现代显示技术国家重点实验室,安徽合肥230009合肥工业大学光电技术研究院,安徽合肥230009;特种显示技术国家工程实验室特种显示技术教
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本文采用一种结构为Ag/MoO3/Ag的金属/氧化物/金属(M1/O/M2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO3/Ag叠层结构变化对于OLED器件电极透过率、亮度、光谱等性能的影响.实验采用真空蒸镀方法制备了一系列器件,器件结构为Ag/MoO3/Ag/MoO3 (10 nm)/NPB(40 nm)/Alq3 (60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm).对比器件的电压-电流密度、电压-亮度、光谱特性等数据,表明Ag/MoO3/Ag的结构为20/20/10(nm)时,器件性能较好.在驱动电压为11V时,其亮度达到18 421 cd/m2,电流效率为2.45 cd/A;且因器件中存在微腔效应,其EL光谱蓝移,半高宽变窄.但考虑到530 nm处其电极透过率仅为17％,所以经换算该器件实际发光亮度比ITO电极器件更高.该Ag/MoO3/Ag叠层阳极制作相对简单,经优化后在顶发射和柔性OLED器件方面将具有一定的应用前景.
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