【摘 要】
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引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损（non-ionizing energy loss,NIEL）值,再用其与电子辐射注量的相
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20120003110011）,国家自然科学基金资助项目（10675023,11075018,11375028）,中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
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引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损（non-ionizing energy loss,NIEL）值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量（displacement damage dose,Dd）,并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正。分析结果表明：用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池Pmax的衰降能用单一曲线来描述。由此,通过NIE
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