【摘 要】
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本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于
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本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。
In this paper, the influence of temperature on the doping efficiency and the microscopic process of impurity activation were investigated by measuring the conductivity of the doped a-Si: H and a-Sic: H films with annealing temperature and annealing time. The results show that (1) the activation process of impurities is in the form of extension index, (2) the doping efficiency is proportional to the temperature in the low temperature range, and (3) the doping efficiency reaches a saturation value in the high temperature range. Through a hydrogen-dependent impurity activation model, we explain the above experimental results.
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