【摘 要】
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一、概述在国防、科研及生产中,有些电子设备往往需要在较低的温度下（如-40～55℃）工作.而常会发现由于半导体器件本身低温下电参数的变化,特别是hFE参数的急剧下降(可用LTF=hFE（2
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一、概述在国防、科研及生产中,有些电子设备往往需要在较低的温度下（如-40～55℃）工作.而常会发现由于半导体器件本身低温下电参数的变化,特别是hFE参数的急剧下降(可用LTF=hFE（25℃）-hFE（-55℃）/hFE（25℃）×100%来表示hFE的低温下降率,下同)是影响这些电子设备的稳定性可靠性的主要原因之一.为了解决半导体器件低温性能问题,我们进行了一系列的研究和试验,取得了较好的进展,初步满足了航空电子装备及国防重点工程等特殊用户的急需.
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