【摘 要】
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采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响
【机 构】
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西北师范大学物理与电子工程学院,河南师范大学物理与信息工程学院
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采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,合适的村底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱（PL）,观察到波长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及527nm左右微弱的绿光峰,随村底温度升高,样品的PL谱中蓝光强度都明显增大,低功率溅射对其蓝光发射具有很重要的影响。综合分析得出440nm左右的蓝光发射应与Zn;有关,485nm附近的
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