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HGST正在引领硬盘行业进入纳米光刻技术前沿，扩展至半导体制造商的视野。通过创建和复制细微的部件，HGST将把未来硬盘（HDD）存储密度增加1倍。
HGST实验室日前宣布，通过融合两种创新纳米技术即自组装分子技术和纳米压印技术，他们成功创造了大面积的高密度存储介质，其中磁岛的宽度只有10nm，只相当于大约50个分子并排的宽度，或者比人类头发丝的1/100000还要细。
“作为传统硬盘的制造商，能利用当今纳米技术的进步，继承与发扬我们创新的传统，我们感到很自豪，”HGST研究中心副总裁Currie Munce表示，“HGST实验室采用的自组装分子和纳米压印等新兴技术将对纳米制造产生巨大影响，使得晶格介质将在十年周期完结之前，成为提高磁盘密度的经济型手段。”
HGST在纳米光刻技术中的研究成果克服了光刻技术中所面临的挑战。在半导体行业中，为了不断实现更小的电子部件而使用越来越短的传统光波长、改进的光学器件、掩码、光敏材料及更加智能的技术时，光刻技术一直是首选技术。
HGST正成为纳米光刻技术的领导厂商。近日宣布的成果代表着HGST正以创造性的方式解决光刻技术问题，并已经超越了存储行业独特的技术目标和严苛的成本目标。HGST纳米光刻技术成果是在硬盘行业发展的关键时点出现，因为云计算、社交网络和移动性正创造出数量日益庞大的内容，所以必须高效地存储、管理和访问这些内容。
HGST实验室日前宣布，通过融合两种创新纳米技术即自组装分子技术和纳米压印技术，他们成功创造了大面积的高密度存储介质，其中磁岛的宽度只有10nm，只相当于大约50个分子并排的宽度，或者比人类头发丝的1/100000还要细。
“作为传统硬盘的制造商，能利用当今纳米技术的进步，继承与发扬我们创新的传统，我们感到很自豪，”HGST研究中心副总裁Currie Munce表示，“HGST实验室采用的自组装分子和纳米压印等新兴技术将对纳米制造产生巨大影响，使得晶格介质将在十年周期完结之前，成为提高磁盘密度的经济型手段。”
HGST在纳米光刻技术中的研究成果克服了光刻技术中所面临的挑战。在半导体行业中，为了不断实现更小的电子部件而使用越来越短的传统光波长、改进的光学器件、掩码、光敏材料及更加智能的技术时，光刻技术一直是首选技术。
HGST正成为纳米光刻技术的领导厂商。近日宣布的成果代表着HGST正以创造性的方式解决光刻技术问题，并已经超越了存储行业独特的技术目标和严苛的成本目标。HGST纳米光刻技术成果是在硬盘行业发展的关键时点出现，因为云计算、社交网络和移动性正创造出数量日益庞大的内容，所以必须高效地存储、管理和访问这些内容。