【摘 要】
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一、前言在大规模集成电路的研究和生产过程中,砷离子注入技术得到了广泛的应用。因为砷的原子半径(较磷)更接近于硅,且有小于磷的扩散系数,更易形成浅结。在全离子注入的工
【机 构】
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北京师范大学,北京师范大学,骊山微电子学研究所
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一、前言在大规模集成电路的研究和生产过程中,砷离子注入技术得到了广泛的应用。因为砷的原子半径(较磷)更接近于硅,且有小于磷的扩散系数,更易形成浅结。在全离子注入的工艺中,主要是用来制作MOS器件的源和漏及双极器件的发射区。
First, the preface In large-scale integrated circuit research and production process, arsenic ion implantation technology has been widely used. As the atomic radius of arsenic (phosphorus) closer to the silicon, and less than the diffusion coefficient of phosphorus, the more easy to form shallow junction. In the whole ion implantation process, it is mainly used to make the source and drain of the MOS device and the emitter region of the bipolar device.
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