W和Si使基质发光材料Na5Eu(MoO4)4发光谱增强的现象

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xfjs08jx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文研究了基质发光材料Na_5Eu(MoO_4)_4制备过程中加入H_2WO_4或SiO_2后发光增强的现象.对Na_5Eu(Mo(1-x)W_xO_4)_4体系,当0<x<0.21时,Eu~(3+)发光增强,当x=0.033时,增强达约30%.对Na_5Eu(MoO_4)4-SiO_2体系,当Si与(Si+Mo)的摩尔数比y在0<y<0.08范围时,Eu~(3+)发光增强,当y=0.028时,增强达约50%.
其他文献
根据近日中国电力企业联合会发布的2009年全国电力工业统计快报显示,全国发、用电量在经历了年初的严重下滑、年中企稳回升的态势之后,于年末实现大幅攀升,全年增速大于上年,全社
近年来,随着科技的进步,依靠传统方式,已经很难满足公安系统对高智能化数据的实时采集、传输处理和监视控制。为了满足数字化立体防范体系建设的需要,公安综合信息指挥系统建设项
基于系统性能评估、可僖陛理论、风险评估等理论,按照在役自控系统(如DCS、PLC等)的现场运行情况,对在役自控系统运行风险进行了研究,并提出一套运行风险评估方法。
物联网“十二五”规划课题组核心成员日前向记者透露,由工业和信息化部主导的《物联网产业“十二五”规划》已完成起草工作,现已呈交工信部进入最后论证阶段,其基本构架已成型。
分析了PROFIBUS-DP总线稳定通讯的必要性,介绍了PROFIBUS-DP总线的组网规则,具体介绍了IND560仪表的硬件抗干扰设计,最后通过抗干扰性实验证实了新产品IND560仪表Profibus DP
本文讨论和分析了激光晶体YAG中Er~(3+)离子的激光上能级的~4S_(3/2)、~4I_(11/2)和~4I_(13/2)辐射跃迁的有关因素。
本文研究了表面修饰的TiO2半导体超微粒子的光学性质,指出TiO2半导体超微粒子表面与其表面修饰的有机分子之间的强化学健作用,明显地改变了半导体超微粒子的光学性质,在其带
分析2011年日本东北近海地震一海啸致福岛核电灾难,发现有严重不符IEC61508风险-SIL准则的多处“冒险点”。结论:决策失误来自忽视基础技术的部门垄断。
用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子—激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个
本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A ZnSe-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释ZnSe